DRAM和Flash芯片，收到一家美國創(chuàng)業(yè)公司開發(fā)出一種更緊湊更快的內存芯片挑戰(zhàn)。新的內存芯片被稱為交叉內存（crossbar memory），由Crossbar研發(fā)，該公司聯合創(chuàng)始人兼首席科學家是密歇根大學教授Wei Lu。

     演示用交叉內存芯片正在臺積電制造，一塊200平方毫米大小的芯片能儲存1TB數據，相比之下，一塊類似大小的flash內存芯片只能儲存16GB數據。所謂交叉內存是指出兩層均勻分布棒狀的電極上下疊加在一起，上層和下層呈直角，形成一個網格。數據比特就儲存在交叉點。在Crossbar的芯片中，上層電極由銀構成，下層由非金屬導體構成，用非晶硅在交叉點儲存數據。Crossbar獲得了2500萬美元的投資商業(yè)化Lu的研究。